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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件

丛 书 名:半导体科学与技术丛书

版本说明:1

作     者:郝跃 张金风 张进成 

I S B N:(纸本) 9787030367174 

出 版 社:科学出版社 

出 版 年:2013年

页      数:304页

主 题 词:电子器件 半导体材料 氮化物 禁带 

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程(可授管理学、工学学位)] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

馆 藏 号:201403779...

摘      要:本书以作者多年的研究成果为基础,系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法,重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。

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馆藏地名称 定位 索书号 条码号 文献状态
工科文献藏阅区 查看 TN304/H143 010904397 可借

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