纳米CMOS集成电路中的小延迟缺陷检测

丛 书 名：国际信息工程先进技术译丛

版本说明：1-1

作     者：（美）桑迪普 

I S B N：(纸本) 9787111521846 

出 版 社：机械工业出版社 

出 版 年：2016年

页      数：191页

主 题 词：MOS集成电路 缺陷检测 纳米材料 

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程(可授管理学、工学学位)] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

馆 藏 号：201408155...

摘      要：设计方法和工艺技术的革新使得集成电路的复杂度持续增加。现代集成电路（IC）的高复杂度和纳米尺度特征极易使其在制造过程中产生缺陷，同时也会引发性能和质量问题。本书包含了测试领域的许多常见问题，比如制程偏移、供电噪声、串扰、电阻性开路/电桥以及面向制造的设计（DfM）相关的规则违例等。本书也旨在讲述小延迟缺陷（SDD）的测试方法，由于SDD能够引起电路中的关键路径和非关键路径的瞬间时序失效，对其的研究和筛选测试方案的提出具有重大的意义。本书分为4个部分：第1部分主要介绍了时序敏感自动测试向量生成（ATPG）；第2部分关于全速测试，并且提出了一种超速测试的测试方法用于检测SDD；第3部分介绍了一种S 更多...