2.5D硅转接板关键电参数测试技术研究

作     者：刘玉奎 崔伟 毛儒焱 孙士 殷万军 LIU Yukui;CUI Wei;MAO Ruyan;SUN Shi;YIN Wanjun

作者机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 重庆西南集成电路设计有限责任公司重庆400060 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2021年第51卷第2期

页      面：270-275页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802190502) 

主　　题：2.5D硅转接板 铜再布线 硅通孔 电阻测试 3D集成电路 

摘      要：硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要。以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结构的寄生电容进行了分析。研究结果表明,研制的2.5D硅转接板中10μm×80μm TSV的单孔电阻为26 mΩ,1.7μm厚度的Cu-RDL的方块电阻为9.4 mΩ/,测试结果与理论计算值相吻合。本研究工作为2.5D/3D集成工艺的研发和建模提供了基础技术支撑。