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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
作者机构:中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029
出 版 物:《电子技术应用》 (Application of Electronic Technique)
年 卷 期:2021年第47卷第5期
页 面:117-121页
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
摘 要:基于0.18μm CMOS标准工艺,实现了一种调节供电电压对温度进行补偿的高精度时钟电路,且有效避免了温度变化及供电波动对振荡频率的影响。相较于同种类型电路,该结构无需带隙基准源及运算放大器,在优化性能的同时,极大程度地缩减了芯片面积及电路复杂度。经仿真验证,当温度变化为-40℃~85℃时,时钟偏差小于1%,可以稳定输出频率为2 MHz的时钟信号;当供电由1.6V波动至2.0V时,时钟振荡频率波动仅为28 Hz。