二维半导体微纳光腔中光与物质的耦合

作     者：刘晓泽 张馨元 张顺平 管志强 徐红星 Liu Xiaoze;Zhang Xinyuan;Zhang Shunping;Guan Zhiqiang;Xu Hongxing

作者机构：武汉大学物理科学与技术学院湖北武汉430072 武汉大学人工微结构教育部重点实验室湖北武汉430072 武汉大学高等研究院湖北武汉430072 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2021年第41卷第8期

页      面：24-43页

核心收录：

学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：中央高校基本科研业务费专项基金(2042020kf0032) 国家重点研发计划(2017YFA0205800) 国家自然科学基金(11674256,91850207) 中国博士后科学基金特别资助(站前)(211000105) 

主　　题：光学器件 微纳光腔 二维半导体 强耦合 弱耦合 激子极化激元 

摘      要：二维半导体具有独特的二维材料属性、新奇的谷电子能带结构和丰富的调控自由度,为凝聚态物理、光学等领域的研究带来了机遇。然而,这些研究依然存在许多根本问题,例如光的利用效率低、量子特性易受环境扰动等。将二维半导体和精密微纳光腔进行耦合不仅为这些问题的解决提供了合适的方案,还展现了前所未有的新颖光学效应,从而为二维半导体的基础物理研究和光电应用开拓了新的研究方向。对近10年来微纳光腔中二维半导体中的光与物质耦合的研究进展进行梳理,重点讨论了二维半导体的光学特性,以及二维半导体与微纳光腔的不同耦合区域的研究进展、调控机制及其在纳米激光光源、谷电子学、量子光学等方面的潜在应用,并对未来的发展方向和机遇进行展望。