用STM研究HF,O_2和H_2O混合气体对Si(100)表面的作用

作     者：梁励芬 董树忠 

作者机构：复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1997年第18卷第2期

页      面：81-84页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金 

主　　题：硅 STM 混合气体处理 表面原子结构 

摘      要：用STM观测了Si（100）表面被氧气流携带的HF和H2O处理后的表面原子结构．实验在大气环境和室温条件下进行，所得STM拓扑图具有清晰的原子级的分辨率．结果表明处理后的表面结构随时间发生变化．刚处理后的表面不显示有序的结构特征，但在大气中存放15分钟后，硅片表面开始逐渐呈现出清晰的Si（100）2×1结构，随后再逐渐转变为1×1结构．这可能是混合气体与Si表面作用，能更有效地清除表面残余的沾污物和氧化层，暴露清洁的硅2×1再构表面，进一步由于吸附H，使表面悬挂键被氢原子占据，转变为1×1结构．有序结构可维持3小时，因此用所述混合气体处理硅片是更有效清洁和钝化硅表面的一种方法．