射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光

作     者：隋妍萍 于广辉 孟胜 雷本亮 王笑龙 王新中 齐鸣 SUI Yan-ping;YU Guang-hui;MENG Sheng;LEI Ben-liang;WANG Xiao-long;WANG Xin-zhong;QI Ming

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2006年第27卷第6期

页      面：971-975页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：中法国际合作项目CNRS/ASC2005(18152) 国家"863"计划(2002AA305304) 上海市自然科学基金(05ZR14139) 国际合作项目(055207043)资助项目 

主　　题：分子束外延 Ⅲ/V比 PL谱 黄带发光 

摘      要：采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过室温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的GaN材料特性要优于富N生长的材料;非故意掺杂的富Ga样品中出现的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的氮空位(VN)缺陷有关;不同的Mg掺杂浓度对样品的PL特性有较大的影响;结合Hall效应测量结果,认为在Mg重掺杂的样品中出现的黄带发光,与GaN的自补偿效应以及重掺杂导致的晶体质量下降有关。