AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响

作     者：钟林健 邢艳辉 韩军 陈翔 朱启发 范亚明 邓旭光 张宝顺 ZHONG Lin-jian;XING Yan-hui;HAN Jun;CHEN Xiang;ZHU Qi-fa;FAN Ya-ming;DENG Xu-guang;ZHANG Bao-shun

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室北京100124 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2014年第35卷第7期

页      面：830-834页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(61204011 11204009 61107026 61006084) 国家自然科学基金重点基金(U103760) 北京市自然科学基金(4142005)资助项目 

主　　题：AlN厚度 PALE MOCVD HEMT 电学性能 

摘      要：利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT),研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延(PALE)技术生长AlN隔离层的时间为12 s(1 nm左右)时,HEMT材料的方块电阻最小,电子迁移率为1 500 cm2·V-1·s-1,二维电子气(2DEG)浓度为1.16×1013cm-2。AFM测试结果表明,一定厚度范围内的AlN隔离层并不会对材料的表面形貌产生重大的影响。HRXRD测试结果表明,AlGaN/AlN/GaN具有好的异质结界面。