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Si间隔层对利用低温Si缓冲层生长高弛豫SiGe层的影响
Effect of Si Intermediate Layer on High Relaxed SiGe Layer Grown Using Low Temperature Si Buffer作者机构：复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2006年第27卷第z1期
页 面：144-147页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成、传播及其对应变弛豫的影响.结果表明Si间隔层的引入,显著改变了外延层中位错的形成和传播,进而使得样品表面形貌也呈现出较大的差异.
