半导体中浅杂质的傅里叶变换光热电离光谱

作     者：俞志毅 黄叶肖 陈建湘 叶红娟 沈学础 E.E.Haller YU ZHI-YI HUANG YE-XIAO CHEN JIAN-XIANG YE HONG-JUAN SHEN XUE-CHULaboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Academia SinicaE, E. HALLERLawrence Berkeley Laboratory, UC Berkeley, CA 94720, U. S.A.

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室 美国加州大学伯克利分校劳伦斯伯克利实验室 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：1989年第38卷第11期

页      面：1869-1873页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：半导体 浅杂质 光热电离光谱 

摘      要：本文报道与快扫描傅里叶变换红外光谱仪相结合的光热电离光谱实验装置和测量系统。采用该系统高分辨率、高灵敏度地研究和测量高纯锗和高纯硅中的剩余浅杂质获得成功。在P型超纯Ge中发现浓度低达10~8cm^(-3)的硼受主杂质的光热电离谱线,而探测灵敏度则至少可达10~7cm^(-3);在n型高纯Si中观测到Li-O复合型浅施主中心D(Li,O);施加本征激发光后在P型高纯Si中同时观察到B受主和P施主的跃迁谱线系。此外,在Si,Ge中均观察到与浅杂质更高激发态有关的跃迁。