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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
作者机构:西南交通大学微电子研究所
出 版 物:《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)
年 卷 期:2023年第32卷第11期
页 面:57-62页
学科分类:080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
主 题:Delta-Sigma调制器 反相器 相关电平移位技术 高能效
摘 要:本文提出了一款基于反相器能效的Delta-Sigma调制器。该调制器使用3阶单环单比特量化拓扑结构,引入相关电平移位技术,提高了电荷转移的精度和积分器电路的直流增益,改善了传统反相器直流增益过低的局限性。本次电路设计基于SMIC 180 nm CMOS工艺,电源电压为1.2 V,过采样率OSR为128,采样频率为4 MHz。仿真结果表明,设计的Delta-Sigma调制器的SNR为97.16 dB,有效位数为15.6 bits,平均功耗为367μW,优值FoMs为173.5 dB,满足高能效调制器的标准。