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电子束光刻的快速邻近效应校正

Fast Correction of Proximity Effect in Electron-beam Lithography

作     者:宋会英 张玉林 于肇贤 郝慧娟 SONG Hui-ying;ZHANG Yu-lin;YU Zhao-xian;HAO Hui-juan

作者机构:中国石油大学(华东)计算机与通信工程学院山东东营257061 山东大学控制学院电子束研究所济南250061 北京信息科技大学理学院北京100101 

出 版 物:《微细加工技术》 (Microfabrication Technology)

年 卷 期:2007年第3期

页      面:1-5,64页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90307003) 

主  题:邻近效应校正 局部曝光窗口 全局曝光窗口 关键点 

摘      要:提出了实现电子束光刻的快速邻近效应校正的分级模型。首先利用矩阵实现内部最大矩形和顶点矩形的快速替换,然后对内部最大矩形和顶点矩形进行校正迭代。在校正迭代的过程中,用局部曝光窗口与曝光强度分布函数直接卷积计算邻近图形对关键点产生的有效曝光剂量,将整个曝光块近似为一个大像点,以计算全局曝光窗口中的曝光图形对关键点产生的有效曝光剂量,实现了快速图形尺寸校正。在与同类软件精度相同的情况下,提高了运算速度。

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