最小二乘拟合计算有机薄膜晶体管迁移率的研究

作     者：陈跃宁 徐征 赵谡玲 孙钦军 尹飞飞 董宇航 Chen Yue-Ning;Xu Zheng;Zhao Su-Ling;Sun Qin-Jun;Yin Fei-Fei;Dong Yu-Hang

作者机构：北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 辽宁大学物理学院沈阳110036 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2010年第59卷第11期

页      面：8113-8117页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10974013 10774013 60978060) 教育部博士点基金(批准号:20090009110027 20070004024) 博士点新教师基金(批准号:20070004031) 国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327704) 北京市自然科学基金(批准号:1102028) 北京市科技新星计划(批准号:2007A024)资助的课题 

主　　题：最小二乘拟合 场效应迁移率 有机薄膜晶体管 

摘      要：本文通过制备了一个基于并五笨为有源层的顶栅底接触OTFT器件获取电流电压实验数据,并运用电流电压特性曲线理论拟合计算方法计算其场效应迁移率.研究发现,采用不同的拟合方法得到的场效应迁移率值有较大的差异.若选取转移特性曲线线性区距中心1/2范围内测试点进行最小二乘拟合计算出的场效应迁移率能减少采用其他拟合方法的固有不准确性,而且与其他方法得到的场效应迁移率最接近.