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在金属薄膜衬底上定向生长碳纳米管
Direct growth of aligned carbon nanotubes on metal thin film substrate作者机构：天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384
出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)
年 卷 期：2010年第41卷第6期
页 面：1030-1033页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 080402[工学-测试计量技术及仪器]
基 金：国家自然科学基金资助项目(50972105) 天津市重点科技攻关资助项目(06YFGZSH00300) 天津市薄膜电子与通信器件重点实验室科研基金资助项目(06TXTJJC14700)
主 题：碳纳米管 预处理 温度 等离子体增强化学气相沉积 定向生长
摘 要：研究和探讨了预处理和温度影响对碳纳米管定向生长机制的作用。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以金属Fe薄膜为催化剂,在单晶硅衬底上定向生长碳纳米管(CNT)。通过给予不同的预处理时间和温度条件,在Fe/Si衬底上沉积出碳纳米管,通过扫描电子显微镜(SEM)进行表征,将不同的条件下生长的碳纳米管进行对比。结果表明,在适当的工艺条件下,可以生长出方向性好,纯度高的碳纳米管。
