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1.9GHz高线性度上混频器设计
A 1.9 GHz High Linearity CMOS Up-mixer作者机构：复旦大学专用集成电路国家重点实验室上海200433 上海士康射频技术有限公司上海200433
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2007年第27卷第1期
页 面：49-53,68页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：介绍了采用0．35μmCMOS工艺实现的单边带上变频混频电路。该混频电路可用于低中频直接混频的PCS1900（1850～1910MHz）发射器系统中。电路采用了multi—tanh线性化技术．可以得到较高的线性度。在单电源＋3．3V下，上混频器电流约为6mA。从上混频电路输出级测得ⅡP3约8dBm，IP1dB压缩点约为0dBm。
