LiF和AgCl中四角的V^(2+)中心的缺陷结构研究

作     者：高秀英 邬劭轶 魏望和 颜微子 GAO Xiu-ying;WU Shao-yi;WEI Wang-he;YAN Wei-zi

作者机构：电子科技大学物理电子学院成都610054 

出 版 物：《电子科技大学学报》 (Journal of University of Electronic Science and Technology of China)

年 卷 期：2006年第35卷第4期

页      面：500-502,506页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

主　　题：缺陷结构 电子顺磁共振 晶体场和配位场理论 重叠模型 

摘      要：基于离子簇近似下四角场中3d3离子EPR参量的微扰公式,通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V2+中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究,提出V2+在LiF和AgCl中的缺陷结构模型,即处于杂质离子与C4轴方向上VC间的配体将由于VC的静电排斥作用而朝靠近杂质离子的方向上位移一段距离?Z。根据上述缺陷结构模型得到的EPR参量理论值与实验值吻合较好。