基于890 nm半导体激光器的InGaAs/GaAsP多量子阱的外延生长条件及其界面质量研究

作     者：慕京飞 王斌 周寅利 陈超 曾玉刚 张建伟 张星 刘天娇 张卓 徐玥辉 苑高辉 张继业 宁永强 王立军 Mu Jingfei;Wang Bin;Zhou Yinli;Chen Chao;Zeng Yugang;Zhang Jianwei;Zhang Xing;Liu Tianjiao;Zhang Zhuo;Xu Yuehui;Yuan Gaohui;Zhang Jiye;Ning Yongqiang;Wang Lijun

作者机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所特种发光科学与技术重点实验室吉林长春130033 中国科学院大学北京100049 长春中科长光时空光电技术有限公司吉林长春130102 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2025年第52卷第1期

页      面：40-49页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家重点研发计划(2020YFC2200301) 国家自然科学基金(62334009,52172165,62374164,62274165,62304224,62104225) 吉林省重点研发项目(20220201066GX,20220201077GX,20220201063GX) 

主　　题：多量子阱 外延生长 生长温度 生长速率 界面质量 

摘      要：针对传统InGaAs/GaAs量子阱在890 nm波段增益与带阶下降的问题,在势垒层引入了P元素形成InGaAs/GaAsP量子阱结构以提高量子阱的应变及导带带阶,同时将阱层数量增加到10层,实现了在890 nm波段仍具有高增益的多量子阱。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,采用生长参数组合调控的方法,外延生长了InGaAs/GaAsP多量子阱,研究了不同生长条件对InGaAs/GaAsP多量子阱界面质量及光增益特性的影响。通过对比分析最终确定了适合InGaAs/GaAsP多量子阱的最佳生长参数,并获得了高质量的InGaAs/GaAsP多量子阱外延样品。