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基于原位光辐照X射线光电子能谱(ISI-XPS)技术的光催化材料石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4))研究

Study on Photocatalytic Material Graphitic Carbon Nitrides(g-C_(3)N_(4))Based on In-situ Light Irradiation-X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS)

作     者:徐鹏 赵志娟 章小余 郭延军 XU Peng;ZHAO Zhijuan;ZHANG Xiaoyu;GUO Yanjun

作者机构:国家纳米科学中心北京100190 中国科学院化学研究所北京100190 

出 版 物:《中国无机分析化学》 (Chinese Journal of Inorganic Analytical Chemistry)

年 卷 期:2025年第15卷第1期

页      面:101-108页

学科分类:081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 070302[理学-分析化学] 0703[理学-化学] 

基  金:国家重点研发计划项目(2023YFF0717100) 中国科学院仪器功能开发项目(E2C32900) 

主  题:石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4)) 原位光辐照 X射线光电子能谱 光催化 

摘      要:原位光辐照X射线光电子能谱(ISI-XPS)技术用于非氧化物光催化材料g-C_(3)N_(4)分析时,由于光辐照对结合能位移影响很小而常被忽略其光照过程中的结构变化。采用自行搭建的原位光辐照XPS装置进行测试发现,相比于波长405 nm的辐照光源,波长375 nm的光源(辐照光源功率大于15 mW)辐照g-C_(3)N_(4)材料15 min,g-C_(3)N_(4)共轭结构中C和N的XPS信号相对强度均出现明显变化,这归因于光辐照诱导电子转移而导致其化学结构发生改变,为光催化机理研究提供了补充证据。同时经过实验验证,紫外光辐照后,g-C_(3)N_(4)材料表面由于能量注入引起温度升高,表面吸附的污染碳出现一定程度的减少。

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