磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状

作     者：方仁凤 周书星 曹文彧 魏彦锋 汪竞阳 李树森 颜家圣 梁桂杰 FANG Renfeng;ZHOU Shuxing;CAO Wenyu;WEI Yanfeng;WANG Jingyang;LI Shusen;YAN Jiasheng;LIANG Guijie

作者机构：湖北文理学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室襄阳441053 湖北台基半导体股份有限公司大功率半导体技术湖北省重点实验室襄阳441021 

出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期：2025年第48卷第1期

页      面：27-41页

核心收录：

学科分类：082703[工学-核技术及应用] 08[工学] 0827[工学-核科学与技术] 

基　　金：国家自然科学基金(No.11705277) 湖北文理学院研究生教育质量工程项目(No.YZ3202405) 襄阳市科技计划项目(No.2022ABH006045)资助 

主　　题：磷化铟 高电子迁移率晶体管 辐照效应 辐射诱导缺陷 抗辐射加固 

摘      要：磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)凭借高频、高增益、低噪声等特性,广泛应用于卫星、载人航天、深空探测等空间通信系统中,但空间环境中的电子、质子、中子等高能粒子会影响InP基HEMT性能,降低空间通信系统的可靠性。该文主要论述高能粒子辐射诱导缺陷对InP基HEMT器件直流(Direct Current,DC)特性、射频(Radio Frequency,RF)特性、跨导和扭结效应(Kink effect)的影响和退化机理,接着总结并分析了InP基HEMT抗辐射加固措施方面的研究进展。通过系统总结国内外InP基HEMT辐照效应研究进展,以期为研究InP基HEMT辐照效应损伤机制以及改进其抗辐射加固技术提供有价值的参考。最后,基于目前InP基HEMT辐照效应研究中仍存在的问题,提出了该器件抗辐射加固未来可重点关注的研究方向。