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热光电式核电源关键器件研究进展

作     者:蒋汀岚 王野 杨小磊 周楚寒 

作者机构:中国核动力研究设计院四川成都610213 

出 版 物:《科技与创新》 (Science and Technology & Innovation)

年 卷 期:2025年第2期

页      面:1-5,9页

学科分类:08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

主  题:核电源 热光伏 低禁带电池 Ⅲ-Ⅴ族半导体 

摘      要:光伏电池已成为人类科技探索的能源供应优选方案。相较于太阳能光伏电池,热光伏(Thermophotovoltaic,TPV)电池禁带宽度窄,多数为低带隙(0.25~0.70 eV)Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,GaSb、InGaAs、InGaAsSb和InAs等是制备热光伏电池的良好半导体材料,可吸收近红外光谱。介绍了热光伏系统的结构及工作原理,讨论了热光伏电池国际研究情况,比较了不同禁带宽度热光伏电池的性能和特点,分析了未来发展趋势及应用可能。

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