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面向存储和神经形态计算应用的CBRAM发展综述
作者机构：中国电子科技集团公司第五十八研究所 集成电路与微系统全国重点实验室 空天集成电路与微系统工信部重点实验室
出 版 物：《材料导报》 (Materials Reports)
年 卷 期：2025年
学科分类：08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
基 金：国家自然科学基金(62204233 62174150) 江苏省重点研发计划(BE2023005) “太湖之光”科技攻关(K20221055)
主 题：导电桥式随机存储器(CBRAM) 阻变机制 介质层材料 电极材料 存储器 神经形态计算
摘 要：CBRAM(Conductive Bridge Random Access Memory)作为一种新兴的非易失性存储器技术，近年来在半导体存储领域引起了广泛关注。随着物联网（IoT）、可穿戴设备、移动计算等应用的快速发展，对存储器的性能、功耗、尺寸和成本提出了更高的要求，CBRAM等新一代存储器技术应运而生。本文阐述了CBRAM的基本概念与基本结构；详细分析了不同介质层中导电细丝形成机理；对比了不同电极材料和介质层材料制备的器件的电学性能差异；介绍了CBRAM在存储器及神经形态计算领域的应用；总结了忆阻器面临的挑战并对未来的进一步发展提供了建议。
