高乙醇含量电解液体系下的宏孔硅阵列光电化学腐蚀技术研究

作     者：宁宇 季旋 周秀文 何玉丹 翁文茜 NING Yu;JI Xuan;ZHOU Xiu-wen;HE Yu-dan;WENG Wen-qian

作者机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900 

出 版 物：《现代化工》 (Modern Chemical Industry)

年 卷 期：2025年第45卷第2期

页      面：188-192,198页

学科分类：08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 081701[工学-化学工程] 

基　　金：国家自然科学基金青年科学基金(12104425) 

主　　题：宏孔硅阵列 光电化学腐蚀法 电解液 腐蚀机理 物质交换 

摘      要：采用光电化学腐蚀单晶硅方法进行宏孔硅阵列制备技术研究,探究了高乙醇含量电解液体系下腐蚀电压对宏孔硅形貌的影响,分析了单晶硅定向溶解机理。结果表明,高乙醇电解液下,单晶硅的腐蚀主要为二价溶解过程,有别于常规电解液体系下单晶硅的四价溶解过程;在该体系下,单晶硅的溶解速度较快,具有较好的应用前景。在腐蚀电压为1.5 V、腐蚀时间为2 h,得到深宽比为23的宏孔硅阵列,腐蚀速度最快可达75μm/h;反应过程中有氢气产生,使腐蚀速度增大,腐蚀至115μm后,过量氢气堆积使孔尖腐蚀受抑制。