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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
作者机构:中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900
出 版 物:《现代化工》 (Modern Chemical Industry)
年 卷 期:2025年第45卷第2期
页 面:188-192,198页
学科分类:08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 081701[工学-化学工程]
主 题:宏孔硅阵列 光电化学腐蚀法 电解液 腐蚀机理 物质交换
摘 要:采用光电化学腐蚀单晶硅方法进行宏孔硅阵列制备技术研究,探究了高乙醇含量电解液体系下腐蚀电压对宏孔硅形貌的影响,分析了单晶硅定向溶解机理。结果表明,高乙醇电解液下,单晶硅的腐蚀主要为二价溶解过程,有别于常规电解液体系下单晶硅的四价溶解过程;在该体系下,单晶硅的溶解速度较快,具有较好的应用前景。在腐蚀电压为1.5 V、腐蚀时间为2 h,得到深宽比为23的宏孔硅阵列,腐蚀速度最快可达75μm/h;反应过程中有氢气产生,使腐蚀速度增大,腐蚀至115μm后,过量氢气堆积使孔尖腐蚀受抑制。