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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
作者机构:重庆理工大学电气与电子工程学院重庆401320
出 版 物:《半导体技术》 (Semiconductor Technology)
年 卷 期:2025年第50卷第2期
页 面:147-153页
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
基 金:重庆市科委博士直通车科研项目(CSTB2022BSXM-JCX0119)
摘 要:为降低反激式变换器开关损耗和提高输出电压精度,设计了一种具有准谐振(QR)和动态采样功能的交流/直流(AC/DC)反激式原边反馈电源管理芯片。在断续导通模式(DCM)下,当次级电流降低为零时,开关管漏极产生谐振,准谐振电路能够检测到谐振电压的最低点,实现谷底导通,理论上能降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。并采用随负载变化而改变采样点的方式来提高输出电压的精度。采用华虹90 nm BCD工艺制作了AC/DC反激式电源管理芯片,在交流输入电压85~265 V的测试条件下,实现了谷底导通,芯片平均效率为76.7%,在输入电压最大且满载情况下效率最高为83%。