具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（英文）

作     者：赵勇兵 张韵 程哲 黄宇亮 张连 刘志强 伊晓燕 王国宏 李晋闽 ZHAO Yong-bing;ZHANG Yun;CHENG Zhe;HUANG Yu-liang;ZHANG Lian;LIU Zhi-qiang;YI Xiao-yan;WANG Guo-hong;LI Jin-min

作者机构：中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 半导体照明联合创新国家重点实验室 北京市第三代半导体材料及应用技术工程中心 中国科学院大学 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2016年第37卷第6期

页      面：720-724页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：“863”国家高技术研究发展计划(2014AA032606) 国家自然科学基金(61376090,61306008)资助项目 

主　　题：AlGaN/GaN 高阈值电压 大栅压摆幅 常关型 特征导通电阻 

摘      要：介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积（ALD）方法实现Al;O;栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅长（Lg）为2μm,栅宽（Wg）为0.9 mm（0.45 mm×2）,栅极和源极（Lgs）之间的距离为5μm,栅极和漏极（Lgd）之间的距离为10μm。在栅压为-20 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电仅为0.65 nA。在栅压为+12 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电为225 nA。器件的栅压摆幅为-20;12V。在栅压V;=+10 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT电流和饱和电流密度分别达到了98 mA和108 mA/mm（Wg=0.9 mm）,特征导通电阻为4 mΩ·cm2。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.6 V,开启与关断电流比达到了5×108。当V;=7 V时,器件的峰值跨导为42 mS/mm(Wg=0.9 mm,V;=+10 V)。在V;=0 V时,栅漏间距为10μm的槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为450 V,关断泄露电流为0.025 mA/mm。