新型阻变存储器内的电压解决方案

作     者：廖启宏 吴雨欣 林殷茵 Liao Qihong;Wu Yuxin;Lin Yinyin

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2011年第36卷第6期

页      面：446-450页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家“863”高技术研究发展计划资助项目(2008AA031401) 国家自然科学基金资助项目(60676007) “973”项目(2007CB935403) 

主　　题：阻变存储器 电荷泵 压控振荡器 工艺角 温度 

摘      要：相对于现在流行的FLASH型存储器,新型阻变存储器(resistive-RAM,RRAM)有很多优势,比如较高的存储密度和较快的读写速度。而针对RRAM的读写操作特性,提出了一种适用于新型阻变存储器的提供操作电压的电路。该方案解决了新型存储器需要外部提供高于电源电压的操作电压的问题,使得阻变存储器能应用于嵌入式设备。同时,对工艺波动和温度波动进行补偿,从而降低了阻变存储器的读写操作在较差的工艺和温度环境下的失败概率,具有很强的实际应用意义。该设计采用0.13μm标准CMOS 6层金属工艺在中芯国际(SMIC)流片实现,测试结果表明,采用此电路的RRAM能正确地进行数据编程和擦除等操作,测试结果达到设计要求。