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硅扩散p-n结势垒宽度和势垒电容的计算
作者机构：微电子专业三年级学员
出 版 物：《复旦学报(自然科学版)》 (Journal of Fudan University(Natural Science))
年 卷 期：1976年第2期
页 面：90-96页
摘 要：p-n结势垒宽度和势垒电容在半导体器件的设计与制造工作中是经常需要计算的。这两者都是外加电压的函数,同时还与p-n结中的杂质分布有关。对于单边突变结和线性缓变结近似的情形,由势垒区电位所满足的一维泊松方程求解,所得到的势垒宽度和电容随外加电压和杂质浓度(或浓度梯度)而变化的关系,是简单的解析表达式。而对于实际的扩散p-n结,把它作为上述两种情形的近似,其范围是比较狭窄的。在不同的扩散条件下,p-n结杂质的分布情况也不同,有时往往是很复杂的。Lawrence和
