氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗

作     者：陈志君 张峰 王永进 金波 陈静 张正选 王曦 CHEN Zhi-jun;ZHANG Feng;WANG Yong-jin;JIN Bo;CHEN Jing;ZHANG Zheng-xuan;WANG Xi

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体薄膜工程技术研究中心 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2006年第12卷第1期

页      面：1-4页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家863计划资助项目(2001AA312070) 

主　　题：绝缘体上的硅锗 注氧隔离 埋氧 氧化 

摘      要：提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全。透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛。研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键。