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N扩散对熔液法生长GaN晶体外延速率的影响

The influence of N diffusion on the growth rate of GaN by Na-flux method

作     者:王斌 赵志德 隋妍萍 徐伟 于广辉 

作者机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 

出 版 物:《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期:2013年第19卷第2期

页      面:59-62页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:氮化镓 液相外延 XRD 

摘      要:使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与溶液中N的输运有关,还与熔液中N的浓度有关。

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