BiYbO_3掺杂对KNN-LS压电陶瓷微结构与电性能的影响

作     者：曾卫东 刘心宇 杨华斌 周昌荣 王华 石登上 ZENG Weidong;LIU Xinyu;YANG Huabin;ZHOU Changrong;WANG Hua;SHI Dengshang

作者机构：桂林电子科技大学材料科学与工程学院广西桂林541004 中南大学材料科学与工程学院湖南长沙410083 桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室广西桂林541004 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2012年第34卷第5期

页      面：738-741,745页

核心收录：

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：广西自然科学重点基金资助项目(2010GXNSFD013007) 广西自然科学基金资助项目(2010GXNSFB013010) 广西教育厅重点基金资助项目(201012MS083) 

主　　题：(K1/2Na1/2)NbO3(KNN) 无铅压电陶瓷 BiYbO3 电性能 

摘      要：采用传统陶瓷烧结工艺,制备了BiYbO3掺杂的xBiYbO3-0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05LiSbO3(xBY-KNN-LS)(x=0～0.002,摩尔分数)无铅压电陶瓷。研究了BiYbO3掺杂对陶瓷相结构、显微组织和电性能的影响。结果表明,随着BiYbO3掺杂含量的增加,晶粒变细,居里点逐步向低温方向移动,压电性能先增加后降低,介电损耗tanδ先增加后减小。在0≤x≤0.001 5的范围内,存在斜方相与四方相共存的准同型相界,当x=0.1%时得到最佳电性能:压电常数d33=245pC/N,机电耦合系数kp=44.75%,居里温度TC=365℃,tanδ=4.5%。