GIS内置局部放电UHF耦合器的灵敏度

作     者：张高潮 徐洋 刘卫东 张建新 高文胜 ZHANG Gaochao;XU Yang;LIU Weidong;ZHANG Jianxin;GAO Wensheng

作者机构：河南省高压电器研究所平顶山467001 清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制与仿真国家重点实验室北京100084 

出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)

年 卷 期：2016年第42卷第11期

页      面：3683-3688页

核心收录：

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 

主　　题：GIS 局部放电 特高频 内置耦合器 灵敏度 插入损耗 

摘      要：在气体封闭绝缘开关设备(GIS)局部放电特高频(UHF)在线检测中,内置UHF耦合器正在得到越来越多的实际应用。因此针对轴对称结构的GIS内置UHF耦合器,试验研究了其局部放电传感的灵敏度问题。并建立了GIS试验模型,基于频谱分析仪和同步扫频信号发生器的频域测量系统,通过对比内置耦合器在接收扫频信号时产生的插入损耗,分析了耦合器结构参数变化对传感灵敏度的影响。测量结果表明:内置耦合器的直径应当与手孔直径相配合,较大直径的手孔和较小直径的耦合器搭配可增加耦合灵敏度,而当耦合器的直径接近于手孔直径时则会导致灵敏度显著降低;此外,将耦合电极和其绝缘支撑固定在手孔盖板上的金属螺栓也会导致传感灵敏度的显著降低。