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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
作者机构:天津大学电子信息工程学院ASIC设计中心天津300072
出 版 物:《传感技术学报》 (Chinese Journal of Sensors and Actuators)
年 卷 期:2005年第18卷第2期
页 面:377-380页
核心收录:
学科分类:080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0802[工学-机械工程]
摘 要:结合用于CMOS图像传感器中的低噪声DPGA的性能特点,提出了一种优化电容阵列拓扑结构的方法,讨论了此种结构下由寄生电容引入的时钟馈通和电荷分配效应,并给出了仿真结果和按照0.35μmCMOS工艺进行流片的版图。测试结果表明,采用改进的电容阵列结构能把采样电容引入的噪声斜率从原来的0.15降低到0.01。