基于SOI的MEMS压阻式高温压力敏感芯片的研制

作     者：姚宗 梁庭 张迪雅 李旺旺 齐蕾 熊继军 YAO Zong;LIANG Ting;ZHANG Di-ya;LI Wang-wang;QI Lei;XIONG Ji-jun

作者机构：中北大学电子测试技术国防科技重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051 

出 版 物：《仪表技术与传感器》 (Instrument Technique and Sensor)

年 卷 期：2017年第1期

页      面：15-18页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(51405454) 

主　　题：SOI MEMS 压阻 高温 压力敏感芯片 

摘      要：设计并制备了一种基于SOI(silicon on insulator)材料的MEMS压阻式高温压力敏感芯片。在设计方面,通过理论计算与仿真,对敏感芯片各项参数进行了优化;在工艺方面,设计了基于标准MEMS工艺的制作流程,并创新性地提出了器件区下沉工艺步骤,以提高敏感芯片工艺制备的可靠性。采用316L不锈钢基座对MEMS压力敏感芯片进行封装后,完成了温度、压力复合环境标定测试,结果显示其具有较高的测量精度,并可在20~220℃温度范围内稳定工作,具备在高温恶劣环境中应用的前景。