组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响

作     者：龙浩 张智超 顾锦华 王皓宁 丁楚伟 钟志有 Long Hao Zhang Zhichao Gu Jinhua Wang Haoning Ding Chuwei Zhong Zhiyou

作者机构：中南民族大学电子信息工程学院武汉430074 中南民族大学实验教学与实验室管理中心武汉430074 武汉光驰教育科技股份有限公司武汉430205 

出 版 物：《中南民族大学学报（自然科学版）》 (Journal of South-Central University for Nationalities：Natural Science Edition)

年 卷 期：2017年第36卷第1期

页      面：71-75页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11504436) 湖北省自然科学基金资助项目(2015CFB364) 中南民族大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CZW15045 CZQ16003) 

主　　题：发光二极管 氮化镓 多量子阱 效率衰减 

摘      要：针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子垒和电子阻挡层界面处的电子势阱深度和空穴势垒高度减小,有益于有源区载流子浓度的提高,有效提升了量子阱内辐射复合速率,使发光效率衰减现象得到显著改善.研究结果对大功率发光二极管的结构设计和器件研发具有启发作用.