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高电源噪声抑制比带隙基准源设计
Design of the Bandgap Reference with High Power Supply Rejection Ratio作者机构：华侨大学信息科学与工程学院福建厦门361021
出 版 物：《华侨大学学报（自然科学版）》 (Journal of Huaqiao University(Natural Science))
年 卷 期：2012年第33卷第3期
页 面：265-268页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：带隙基准源 电源噪声抑制比 低工作电压 低功耗 模拟IP
摘 要：采用CSMC 0.35μm工艺,通过在电源和带隙基准源电路间插入电流源缓冲级的方法,设计提高带隙基准源电源噪声抑制能力的带隙基准源.在最低工作电压不变的情况下,所设计的带隙基准电源大幅度提高了电路的电源抑制比,且功耗低.仿真结果表明:电源抑制比值为110dB/40dB,Iq=12μA,Vmin=2.4V,可作为模拟IP(知识产权)且易集成于单片系统中.
