InSi_n(n=2-15)团簇结构、稳定性与电子性质的理论研究

作     者：桑杰扎布 叶铁 丁宁 卜肖宁 王卓 张帅 SANGJIE Zha-Bu;YE Tie;DING Ning;BU Xiao-Ning;WANG Zhuo;ZHANG Shuai

作者机构：锡林郭勒职业学院桑杰扎布大师工作室锡林浩特026000 南阳师范学院机械与电子工程学院南阳473061 南阳师范学院物理与电子工程学院南阳473061 

出 版 物：《原子与分子物理学报》 (Journal of Atomic and Molecular Physics)

年 卷 期：2017年第34卷第4期

页      面：649-655页

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 

基　　金：2016年度河南省高等学校重点科研项目(16A430023) 

主　　题：InSin团簇 基态结构 电子性质 

摘      要：使用卡里普索(CALYPSO)结构预测程序并结合密度泛函理论,在B3LYP/GENECP基组水平上,对InSi_n(n=2-15)团簇的几何结构进行优化与计算.结构优化表明:InSi_n团簇的最低能量构型趋于立体结构(n2),且形成In原子戴帽InSi_(n-1)团簇结构.稳定性分析发现InSi_(12)团簇为幻数结构,In原子的掺杂降低了Si_(n+1)团簇的稳定性.团簇中的电荷总是由In原子向Si原子转移.最后讨论了团簇的电子局域密度函数、红外与拉曼光谱.