绝缘衬底上化学气相沉积法生长石墨烯材料

作     者：刘庆彬 蔚翠 何泽召 王晶晶 周闯杰 郭建超 冯志红 

作者机构：河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室河北石家庄050051 

出 版 物：《化工学报》 (CIESC Journal)

年 卷 期：2017年第68卷第S1期

页      面：276-281页

核心收录：

学科分类：081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 

基　　金：国家自然科学基金项目(61306006 61674131) 

主　　题：石墨烯 绝缘衬底 化学气相沉积 表面 形态学 电学特性 

摘      要：利用化学气相沉积法,在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上生长石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶体质量和电学特性。原子力显微镜、光学显微镜和拉曼光谱测试表明,Si_3N_4覆盖层可以有效抑制3CSiC缓冲层的形成;低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。5.08cm蓝宝石衬底上石墨烯材料,室温下非接触Hall测试迁移超过1000cm2·V^(-1)·s^(-1),方块电阻不均匀性为2.6%。相对于Si衬底和蓝宝石衬底,SiC衬底上生长石墨烯材料的表面形态学更好,缺陷更低,晶体质量和电学特性更好,迁移率最高为4900cm2·V^(-1)·s^(-1)。