应变Si1-xGex／(111)Si空穴有效质量模型

作     者：宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 戴显英 Song Jian-Jun;Zhang He-Ming;Hu Hui-Yong;Xuan Rong-Xi;Dai Xian-Ying

作者机构：西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2010年第59卷第1期

页      面：579-582页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家部委项目(批准号:51308040203 9140A08060407DZ0103 6139801)资助的课题 

主　　题：应变Si1-xGex 空穴有效质量 价带 

摘      要：利用应变Si1-xGex/(111)Si材料价带E(k)-k关系,研究获得了沿不同晶向的空穴有效质量,并在此基础上,建立了空穴各向同性有效质量模型.结果表明,与弛豫材料相比,应变Si1-xGex/(111)Si材料价带带边空穴有效质量各向异性更加显著,带边空穴各向同性有效质量随Ge组分明显减小.该研究成果可为Si基应变PMOS器件导电沟道的应力与晶向设计提供有价值的参考.