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射频集成电路用高性能金属—绝缘体—金属电容的研究
Research on high performance metal-insulator-metal capacitors for radio frequency integrated circuits applications作者机构：专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学院上海200433 上海建桥学院电子工程系上海201315
出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)
年 卷 期：2014年第20卷第1期
页 面：13-19页
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家自然科学基金资助项目(61076076) 高等学校博士学科点专项科研基金(20120071110033)
主 题：金属—绝缘体—金属(MIM)电容 高介电常数 绝缘介质 电极
摘 要：随着无线通讯技术的快速发展,高性能金属-绝缘体-金属(MIM)电容器已引起人们的极大关注,成为下一代射频集成电路的必然选择。本文从MIM电容的技术背景、制备方法、绝缘介质的设计以及电极材料几个方面,对MIM电容器件的研究进展进行了较全面的综述,可望为开发下一代射频集成电路用高性能MIM电容提供技术指导。
