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在ITO导电衬底上室温电沉积高取向的CuBr薄膜
Room Temperature Electrodeposition of Highly Oriented CuBr on Indium Tin Oxide Glass Substrate作者机构：浙江树人大学生物与环境工程学院杭州310015 浙江大学化学系物理化学研究所杭州310027
出 版 物：《无机化学学报》 (Chinese Journal of Inorganic Chemistry)
年 卷 期：2009年第25卷第2期
页 面：231-235页
核心收录：
学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学]
摘 要：室温下,通过简单的电沉积过程还原CuBr2水溶液可在ITO导电衬底上生长出高取向的CuBr晶体。用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对样品进行了表征。结果表明:CuBr晶体生长沿着晶轴方向具有优先取向。通过烷基咪唑四氟硼酸盐[Bmim][BF4]离子液体来调控电沉积CuBr的晶体形貌,添加[Bmim][BF4]后,CuBr晶体生长(111)面优先取向大大削弱。对离子液体调控CuBr晶体形貌的机理进行了初步探讨。
