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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
作者机构:模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060
出 版 物:《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期:2009年第39卷第3期
页 面:293-296页
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
主 题:A/D转换器 采样/保持电路 开关电容电路 CMOS工艺
摘 要:介绍了一种采用0.35μm CMOS工艺的开关电容结构采样/保持电路。电路采用差分单位增益结构,通过时序控制,降低了沟道注入电荷的影响;采用折叠共源共栅增益增强结构放大器,获得了要求的增益和带宽。经过电路模拟仿真,采样/保持电路在80MSPS、输入信号(Vpp)为2V、电源电压3V时,最大谐波失真为-90dB。该电路应用于一款80MSPS14位流水线结构A/D转换器。测试结果显示:A/D转换器的DNL为0.8/-0.9LSB,INL为3.1/-3.7LSB,SNR为70.2dB,SFDR为89.3dB。