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ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理
Large-Area Surface Treatment of Monocrystalline Silicon by ECR Plasmas at Low Temperature\+*作者机构：复旦大学三束材料改性国家重点联合实验室上海200433 上海交通大学应用物理系上海200030 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2000年第21卷第10期
页 面：1019-1023页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家自然科学基金!(批准号 :698780 0 4 ) 复旦大学应用表面物理国家重点实验室开放基金资助项目&&
摘 要：利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .结果表明 ,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层 .
