InSb薄膜热导率温度特性及传热机理

作     者：黄正兴 孙豪 李奇松 管相宇 HUANG Zhengxing;SUN Hao;LI Qisong;GUAN Xiangyu

作者机构：大连理工大学电子信息与电气工程学部辽宁大连116024 辽宁省集成电路技术重点实验室辽宁大连116024 中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储实验室上海201800 

出 版 物：《大连理工大学学报》 (Journal of Dalian University of Technology)

年 卷 期：2018年第58卷第5期

页      面：519-525页

核心收录：

学科分类：080701[工学-工程热物理] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61131004) 辽宁省自然科学基金资助项目(201602153) 

主　　题：InSb薄膜 晶态和非晶态 热导率 温度特性 

摘      要：InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的传热机理.对于晶态InSb薄膜,热导率为(0.55±0.055)W/(m·K),并且随温度的变化不明显;而非晶态InSb薄膜在温度450K以下时热导率为(0.37±0.037)W/(m·K).当温度在450K以上时,由于薄膜从非晶态转化为晶态,其热导率经历了一个突然的升高过程.无论是晶态还是非晶态薄膜样品,热导率与薄膜厚度都没有明显依赖关系.研究结果可以为InSb薄膜的实际应用提供有益的参考.