等离子体清洗GaAs和Al_2O_3衬底的RHEED图像分析

作     者：章家岩 郎佳红 秦福文 顾彪 Zhang Jiayan;Lang Jiahong;Qin Fuwen;GU Biao

作者机构：安徽工业大学电气信息学院安徽马鞍山243002 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室辽宁大连116024 

出 版 物：《华中科技大学学报（自然科学版）》 (Journal of Huazhong University of Science and Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2005年第33卷第5期

页      面：88-91页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(69976008) 

主　　题：电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积 GaN 氢等离子体 氮化 

摘      要：针对GaAs和Al2O3作为外延GaN薄膜的主要衬底材料,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECRPEMOCVD)工艺对其分别进行纯氢、氢氮等离子体清洗,并配备高能电子衍射仪(RHEED)实时监测清洗过程.CCD的RHEED图像分析表明,在一定条件下用纯氢等离子体对GaAs衬底清洗只需1min左右,即可得到比较平整的清洗表面,但清洗2min以上表面质量开始变坏.若在氢气中加入少量氮气,清洗时间可延长至10min左右.而Al2O3衬底对纯氢等离子体的清洗时间比较敏感,清洗2min左右就能获得平整的清洗表面,若时间延长到4min,表面质量将开始变坏.如果采用氢氮等离子体清洗,约需20min时间,而且在很宽的清洗时间范围(20～30min)内都能获得良好的清洗表面.