Ⅲ族氮化物InAlN半导体异质结研究进展

作     者：郝跃 薛军帅 张进成 

作者机构：西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 

出 版 物：《中国科学：信息科学》 (Scientia Sinica(Informationis))

年 卷 期：2012年第42卷第12期

页      面：1577-1587页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：化合物半导体 高电子迁移率晶体管 InAlN GaN异质结 晶格匹配无应变 脉冲式金属 有机物化学气相淀积 

摘      要：由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景,在过去二十年氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究,取得了一系列进展,并开始走向商业化.为了进一步提高器件性能,尤其是高工作频率和高电压下器件工作的可靠性,新材料、新工艺以及新器件被不断提出,其中基于InAlN材料的晶格匹配无应变异质结凭借优越材料性能成为新一代GaN基HEMT材料.本文结合在III族化合物半导体材料和器件领域的相关工作,对InAlN基异质结半导体材料生长进展做简要综述.在分析InAlN基异质结外延生长的基础上,对我们提出的脉冲式(表面反应增强)金属有机物化学气相淀积(MOCVD)外延InAlN/GaN异质结技术优势和外延材料结果进行了讨论.