基于高阻抗表面的多频带Salisbury屏设计

作     者：党可征 时家明 李志刚 孟祥豪 王启超 Dang Ke-Zheng;Shi Jia-Ming;Li Zhi-Gang;Meng Xiang-Hao;Wang Qi-Chao

作者机构：脉冲功率激光技术国家重点实验室合肥230037 电子工程学院合肥230037 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2015年第64卷第11期

页      面：97-102页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61171170)资助的课题 

主　　题：高阻抗表面 人工磁导体 Salisbury屏 吸波体 

摘      要：为进一步提高传统Salisbury屏的吸波性能,本文提出了利用高阻抗表面在特定频率同相反射的特性,替代原有结构中的金属平板设计多频带Salisbury屏的方法.通过分析不同频率电磁波经高阻抗表面反射后空间电磁场的场强分布,说明可以通过共用Salisbury屏的损耗层,在高阻抗表面同相反射的特征频率附近引入新的吸收带.以不同尺寸方形周期结构的单频和双频高阻抗表面为例,从仿真和实验两个方面验证了多频带Salisbury屏设计的可行性,且实验和仿真结果十分符合.结果表明,多频带Salisbury屏基本保留了原有的吸波性能,同时又引入了新的吸收峰,吸收峰的位置和数量与高阻抗表面同相反射的频带位置和数目有关.与传统的Salisbury屏相比,在材料增加厚度不足1 mm的情况下,多频带Salisbury屏的设计使反射率小于-10 d B的吸波带宽由8.5 GHz增加到10.1 GHz,且实现了向长波方向的拓展,最低频率由7.5 GHz拓展到5.98 GHz.