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基于0.35μm CMOS工艺的APD器件仿真分析
Simulation of APD Device Based on 0.35μm CMOS Process作者机构：重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院重庆400065
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：2015年第36卷第6期
页 面：888-891,908页
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：0.35μm CMOS工艺 雪崩光电二极管 器件仿真 边缘击穿 保护环
摘 要：提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p^+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析。仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边缘电场强度,避免了器件的提前击穿。CMOS APD器件的击穿电压为9.2V,工作电压下响应率为0.65A/W,最大内部量子效率达到90%以上,响应速度能够达到6.3GHz,在400~900nm波长范围内,能够得到很大的响应度。
