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基于0.35μm CMOS工艺的APD器件仿真分析

Simulation of APD Device Based on 0.35μm CMOS Process

作     者:王巍 杜超雨 王婷 鲍孝圆 陈丽 王冠宇 王振 黄义 

作者机构:重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院重庆400065 

出 版 物:《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期:2015年第36卷第6期

页      面:888-891,908页

学科分类:080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 

主  题:0.35μm CMOS工艺 雪崩光电二极管 器件仿真 边缘击穿 保护环 

摘      要:提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p^+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析。仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边缘电场强度,避免了器件的提前击穿。CMOS APD器件的击穿电压为9.2V,工作电压下响应率为0.65A/W,最大内部量子效率达到90%以上,响应速度能够达到6.3GHz,在400~900nm波长范围内,能够得到很大的响应度。

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