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双极型TIL晶体管的设计与制造
作者机构：浙江大学功率器件研究所杭州310027
出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)
年 卷 期：1993年第9卷第4期
页 面：41-44页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：介绍一种新颖的双极型功率器件—TIL晶体管的结构、设计原则与制造工艺.它由常规的n-p-n-n结构与同类型厚基区器件自体内并联构成,厚、薄基区两部分晶体管互相取长补短,各自发挥最佳作用,共同支配整个器件工作.TIL结构使晶体管基区厚度及基区杂质浓度和主要性能参数之间的制约得以放宽,提高了器件的电热可靠性、开关速度和耐压水平.
