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近红外波段Ge光电探测器的研究进展
Research Progress on Ge Photodetectors in Near Infrared Band作者机构：中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)
年 卷 期：2015年第40卷第4期
页 面：241-249页
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
摘 要：随着光通信技术的发展,如何制备能与Si基电路单片集成的响应波长在1.3和1.55μm的高性能光电探测器成为研究热点。总结了Si Ge组分变化的缓冲层技术、低温缓冲层技术以及选区外延这三种主流的Ge材料外延技术,介绍了pin结构、金属-半导体-金属(MSM)结构、雪崩光电二极管(APD)结构以及pin结构和MSM结构与光波导集成这四种不同结构的Ge光电探测器,并从这些不同结构的器件制备技术方面阐述了近红外波段Ge光电探测器的研究进展及其应用。
