MOCVD外延生长原位光致发光谱测量方法

作     者：杨超普 方文卿 杨岚 刘彦峰 李春 阳帆 韩茜 张美丽 YANG Chao-pu;FANG Wen-qing;YANG Lan;LIU Yan-feng;LI Chun;YANG Fan;HAN Xi;ZHANG Mei-li

作者机构：商洛学院化学工程与现代材料学院商洛726000 南昌大学材料科学与工程学院南昌330031 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心南昌330047 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2018年第47卷第11期

页      面：2316-2321页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 070207[理学-光学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项(2017YFB0403700) 国家自然科学基金(61864008) 

主　　题：MOCVD 原位监测 光致发光 外延 

摘      要：为了实现MOCVD外延生长过程中的PL谱原位测量。利用经过特殊改造的M680红外测温石英光学探针、分支石英光纤、半导体激光器、光谱仪、OD值为6的单波陷波滤光片,在THOMAS SWAN CCS型MOCVD反应室上实现了Si(111)衬底Ga N基In Ga N/Ga N MQW外延生长过程原位PL谱测量。研究结果表明:该原位PL谱测量系统,能够实现激发光的导入、PL谱信号的收集、反射激光及杂散光的过滤;当温度降低至600℃以下时,MOCVD反应室内红外辐射对PL测量的影响可以忽略;该原位PL谱测量方法可推广至Al2O3衬底外延生长。该研究可为MOCVD原位PL谱测量设备开发提供参考。