N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长

作     者：李亮 罗伟科 李忠辉 董逊 彭大青 张东国 LI Liang;LUO Wei-ke;LI Zhong-hui;DONG Xun;PENG Da-qing;ZHANG Dong-guo

作者机构：南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2013年第34卷第11期

页      面：1500-1504页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：江苏省科技支撑计划(BE2010006)资助项目 

主　　题：氮化镓 氮极性 成核层 金属有机物化学气相沉积 

摘      要：采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的影响。研究结果表明,成核层生长时间为300 s时,N极性GaN薄膜样品的位错密度最低,发光性能最好。采用拉曼(Raman)光谱对样品的应变状态进行了分析。